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实现了熔融KOH进行SiC体单晶择优腐蚀估测缺陷密度的方法．本文报道了采用该技术对体SiC单晶缺陷密度估测的结果．腐蚀会在Si面形成六边形腐蚀坑，在C面形成圆形腐蚀坑．腐蚀速率和蚀坑形状与SiC生长工艺有关．对在高生长气流量下用PVT工艺制备的SiC样品，其刃位错、螺位错与微管密度分别为2．82×10^，94和38cm^-2；对在低生长气流量下用PVT工艺制备的SiC样品，其上述缺陷密度分别为9．34×10^5，2和29cm^-2．结果表明：随着生长气体流量的增加，由于避免了N2掺杂，