【摘 要】
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The film of LaB6 on GaAs(100) was deposited by ion sputtering. The LaBe/GaAs(100) interface was investigated by Auger electron spectroscopy. Results show the co
【机 构】
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The film of LaB6 on GaAs(100) was deposited by ion sputtering. The LaBe/GaAs(100) interface was investigated by Auger electron spectroscopy. Results show the composition of the film is almost the same as that of LaB6 source Adhesion of the film to GaAs(100) surface is very good. AES measurements of the change of LaBe coverage versus time do not exhibit a saturation. We think that LaBe does not grow in layer by layer, but forms islands on the GaAs(100) surface with ununiform thickness.
The film of LaB6 on GaAs (100) was deposited by ion sputtering. The LaBe / GaAs (100) interface was investigated by Auger electron spectroscopy. Results show the composition of the film is almost the same as that of LaB6 source Adhesion of the film We think that LaBe does not grow in layer by layer, but forms islands on the GaAs (100) surface with ununiform thickness
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