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相控阵雷达的核心部件T/R组件性能不断提高,GaN半导体器件的应用使得组件输出功率和效率大幅提高,能够在高温下工作。但是GaN材料目前应用时间较短,可靠性方面还缺乏验证。本文主要介绍了组件中GaN功率器件的失效机理,对影响GaN功率器件可靠性的不同因素进行了分析。
雷达T/R组件中GaN器件可靠性影响
【摘 要】
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相控阵雷达的核心部件T/R组件性能不断提高,GaN半导体器件的应用使得组件输出功率和效率大幅提高,能够在高温下工作。但是GaN材料目前应用时间较短,可靠性方面还缺乏验证。本
【机 构】
：
华东电子工程研究所
【出 处】
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电子制作
【发表日期】
：
2017年15期
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