GSMBE InGaP／GaAs材料大面积均匀性研究

来源 :稀有金属 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tiger_0003

【摘要】

：

报道了气态源分子束外延(GSMBE)技术生长的Φ50 mm,Φ75 mm InGaP/GaAs材料的晶体完整性,组分均匀性和表面缺陷密度.用Philips X-Pert′s 四晶衍射仪沿Φ50 mm,Φ75 mm InGaP

【作者】

：

李爱珍李华李存才胡建唐雄心齐鸣

【机构】

：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

【出处】

：

稀有金属

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

INGAP 均匀性气态源分子束外延 X射线双晶衍射 INGAP/GAAS uniformities GSMBE X-ray diffraction InG

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

报道了气态源分子束外延(GSMBE)技术生长的Φ50 mm,Φ75 mm InGaP/GaAs材料的晶体完整性,组分均匀性和表面缺陷密度.用Philips X-Pert′s 四晶衍射仪沿Φ50 mm,Φ75 mm InGaP/GaAs样品的x轴和y轴以5 mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线,获得沿x轴和y轴方向的晶格失配度分布和组分涨落分布.结果表明,用GSMBE生长的Φ50 mm和Φ75 mm In0.49Ga0.51P与GaAs衬底的失配度分别为1×10-4和1×10-5,组分波动Φ

其他文献

高增益相对论速调管放大器自激振荡的分析与抑制

通过二维和三维粒子模拟研究了高增益相对论速调管放大器中高次模式的激励机理,两者结果的一致性排除了高次非对称模式激励的影响.由此建立了高次模式起振的理论模型,给出了

期刊

相对论速调管放大器高增益高次模式自激振荡relativistic klystron amplifierhigh gainhigh order m

浅论和谐文化建设

和谐文化建设是社会主义和谐社会建设的重要内容。和谐文化建设必须坚持以社会主义核心价值观引领社会思潮,增强社会主义主流意识形态对多样化社会思潮的引领作用;必须牢固树

期刊

和谐文化社会主义核心价值观文化建设

代表中国先进文化的前进方向是我国社会转型的先导

江泽民同志关于"三个代表"的思想深刻揭示了我们党的根本性质和纲领,指明了新形势下党的建设的努力方向.其中,关于我们党始终代表中国先进文化的前进方向的精辟论述,是对党的

期刊

中国共产党三个代表先进文化经济发展社会转型理想信念

GSMBE InGaP／GaAs材料大面积均匀性研究

其他学术论文