【摘 要】
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分析了功率IC芯片真空回流焊装配中锡溅锡珠、芯片翻转、边缘空洞3种工艺缺陷的产生机理。研究了钢网厚度、钢网开口、回流时间、压力参数对真空回流焊工艺缺陷的影响。结果
【机 构】
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中国电子科技集团公司第二十四研究所;
【基金项目】
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模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(614280204030217)
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分析了功率IC芯片真空回流焊装配中锡溅锡珠、芯片翻转、边缘空洞3种工艺缺陷的产生机理。研究了钢网厚度、钢网开口、回流时间、压力参数对真空回流焊工艺缺陷的影响。结果表明,功率IC芯片上的空洞随焊膏厚度增加而减小,“9宫”钢网开口更易于保持印刷厚度的一致性。采用120s预热时间、升温区预真空、变压力真空回流焊等措施,减少了锡溅锡珠,杜绝了芯片翻转,改善了芯片边缘空洞。
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