目的:分析光电倍增管电压偏置电路对光电倍增管性能的影响,并采取相应措施提高光电倍增管电压偏置电路的精度,以改善光电倍增管的性能。方法:在电阻型光电路倍增管偏置电的基础上,增加双极型晶体管或场效应晶体管构成有源光电倍增管偏置电路;并采用可调恒流技术,以解决温度对电路的影响。结果:在阳极电流为50μA,电阻型光电倍增管偏置电路的线性偏离度已达40%,而用双极性晶体管或场效应晶体管的有源偏置电路的线性偏离度分别为≤7%,≤3%,采用可调恒流技术后,电路的线性偏离度≤1%;如果要求阳极电流为100μA时线性偏离度≤1%时,电阻型光电倍增管偏置电路的功耗为11W,而用双极性晶体管或场效应晶体管的有源偏置电路的总功耗分别在0.18～0.95W,0.12～0.75W。结论:采用场效应晶体管的有源偏置电路显著提高了偏置电压的线性度和稳定性,减少了功耗和体积,加入可调恒流技术后,进一步降低偏置电路的线性偏置度,从而改善了光电倍增管的性能。