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制备了耐高温低膨胀聚甲氧基有机硅（PMOS）／莫来石杂化材料。FT-IR与XRD测试表明材料在热处理过程中PMOS基体逐渐降解，而莫来石晶体则随温度的升高而稍有生长；TG测试表明材料在800℃高温处理后仍有93．4％的质量残留；SEM显示莫来石均匀分散在PMOS基体中；材料的冲击强度随热处理温度的升高而先减小后增大，800℃热处理后材料的冲击强度为924J／m^2；材料的膨胀系数很低，且随莫来石含量的增加而减小；聚甲氧基有机硅／莫来石杂化材料具有良好的耐高温性能与低热膨胀性能。