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用增强光电流模型对微电路pn结瞬态电离辐射响应开展了数值模拟计算.该模型在Wirth-Rogers光电流模型的基础上,增加考虑了高注入对过剩载流子寿命的影响以及衬底(准中性区)电场的效应,这些效应对于高阻材料是不容忽视的.该模型对正确预估微电路PN结瞬态电离辐射响应提供了很好的评估手段.
微电路pn结瞬态电离辐射响应二维数值模拟
【摘 要】
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用增强光电流模型对微电路pn结瞬态电离辐射响应开展了数值模拟计算.该模型在Wirth-Rogers光电流模型的基础上,增加考虑了高注入对过剩载流子寿命的影响以及衬底(准中性区)电
【机 构】
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西安电子科技大学,西安电子科技大学,西北核技术研究所
【出 处】
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强激光与粒子束
【发表日期】
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2002年1期
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