电致发热SiC多孔陶瓷制备研究

来源 :硅酸盐通报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：WatsonWen

【摘要】

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采用一种新方法制备了具有2种孔隙结构的电致发热SiC多孔陶瓷.根据SEM,X射线分析,气孔率与电阻率等测试结果可知,试样主孔道直径在300μn左右,微孔道直径在30～40μm,气孔率可

【作者】

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樊子民王晓刚任建勋张军锋田欣伟

【机构】

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西安科技大学材料科学与工程学院

【出处】

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硅酸盐通报

【发表日期】

：

2005年6期

【关键词】

：

电致发热碳化硅多孔陶瓷电阻率 heating element silicon carbide porous ceramics resistivity

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采用一种新方法制备了具有2种孔隙结构的电致发热SiC多孔陶瓷.根据SEM,X射线分析,气孔率与电阻率等测试结果可知,试样主孔道直径在300μn左右,微孔道直径在30～40μm,气孔率可达55%,电阻率在0.0007～0.00195Ω·m.研究了烧结温度和烧结时间与电阻率的关系,并根据机械性能的测试结果,探讨了试样的强度与烧结温度的关系.

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