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采用载流子速度饱和理论,建立了包含"自热效应"影响的适用于4H-SiC MESFET的大信号输出I-V特性解析模型,在模型中引入了温度变化的因素,提出了非恒定衬底环境温度T0的热传导模型,模拟结果与实验值一致,证明基于这种模型的理论分析符合器件测试及应用的实际情况.
4H-SiC射频功率MESFET的自热效应分析
【摘 要】
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采用载流子速度饱和理论,建立了包含"自热效应"影响的适用于4H-SiC MESFET的大信号输出I-V特性解析模型,在模型中引入了温度变化的因素,提出了非恒定衬底环境温度T0的热传导
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所
【出 处】
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物理学报
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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国防预研基金;
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