直流I-V特性相关论文
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采用载流子速度饱和理论,建立了包含"自热效应"影响的适用于4H-SiC MESFET的大信号输出I-V特性解析模型,在模型中引入了温度变化的......
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研究了激光辐照下约瑟夫森结的直流I-V特性变化,并对Ⅰ-Ⅴ曲线下移的实验结果进行了分析,认为是光拆库柏对效应所致.该结果为发展......
