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本文采用热丝化学气相沉积方法制备CVD金刚石厚膜,通过灯丝间距缩短为4mm，同时增加围挡，使得CVD金刚石厚膜的生长速度可达到7.5μm/h，热导率达到1028W/(m·K)，CVD金刚石膜结构致密，无孔洞，甚至透红光。其主要原因是灯丝间距缩短和增加围挡，增加了灯丝阵列的活化能力，产生更多的含碳基团和原子氢，促进金刚石生长，加速sp2结构碳的刻蚀。