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本文设计了一种含缺陷层的一维光子晶体,采用传输矩阵法研究了一维缺陷型光子晶体的光子禁带、缺陷峰与环境湿度之间的关系.环境湿度变化将致使构成一维缺陷型光子晶体的介质的折射率发生变化,而构成一维缺陷型光子晶体的介质的折射率变化将会引起一维缺陷型光子晶体的光子禁带与缺陷峰发生变化.本文研究了一维缺陷型光子晶体在TE模式和TM模式下其能带结构中的光子禁带、缺陷峰与环境湿度变化之间的关系.研究结果表明,TE模式和TM模式下,在0％RH～100％RH的湿度变化范围内,一维缺陷型光子晶体存在显著的双光子禁带,且两个光子禁带的起始波长、终止波长、禁带宽度及缺陷峰的中心波长都随环境湿度呈规律变化.