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以TiSi2和SiC为原料，利用自蔓延高温合成（self-propagation high-temperature synthesis，SHS）方法合成直径为24mm的Si3N4-SiC-TLN陶瓷。通过理论计算和实验研究了不同孔隙率压坯中稀释剂SiC含量对反应物TiSi2转化率的影响。结果表明：SiC在一定范围内增加有利于TiSi2的氮化，且含40％（质量分数，下同）SiC和50％SIC的压坯在燃烧合成过程中发生了SiC的氮化反应。压坯孔隙率为50％（体积分数，下同）时，反应物TiSi2氮化充分，最终产