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利用射频磁控溅射法在Si（111）衬底上先溅射ZnO缓冲层，再溅射Ga2O3薄膜，然后在开管炉中不同温度下通氨气进行氨化反应生长GaN薄膜。分析结果表明，利用该方法制备的GaN薄膜是六角纤锌矿多晶结构，并且随着氨化温度的升高，GaN薄膜向棒状和线状形态转变。同时分析了ZnO缓冲层对形成GaN纳米结构的影响。