【摘 要】
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本文报道了一种在无标准样品存在时,用辉光放电质谱仪ELEMENT GD直接且快速地测定高纯银中痕量杂质元素的方法。该方法可应用于冶金或半导体工业中高纯金属和半导体材料中痕
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本文报道了一种在无标准样品存在时,用辉光放电质谱仪ELEMENT GD直接且快速地测定高纯银中痕量杂质元素的方法。该方法可应用于冶金或半导体工业中高纯金属和半导体材料中痕量杂质元素的定量分析,也可提升高纯金属的痕量分析技术水平。
In this paper, a method for the direct and rapid determination of trace impurity elements in high purity silver by ELEMENT GD with a glow discharge mass spectrometer in the absence of a standard sample is reported. The method can be applied to the quantitative analysis of trace impurities in high purity metals and semiconductors in the metallurgical or semiconductor industry and can also improve the trace analysis technology of high purity metals.
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