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采用激光束偏转法研究PECVD SiN及SiO_2的应力特性,结果表明,SiN膜的应力较大,在SiN/Si间插入一层SiO_2膜,能有效地减小SiN膜的应力。
PECVD Sin/SiO2双层膜的应力特性
【摘 要】
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采用激光束偏转法研究PECVD SiN及SiO_2的应力特性,结果表明,SiN膜的应力较大,在SiN/Si间插入一层SiO_2膜,能有效地减小SiN膜的应力。
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所,西安电子科技大学微电子所
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1989年4期
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