目前有关凝胶薄膜电化学形成机理的研究较少。以醋酸铜、正硅酸乙酯和柠檬酸钠在室温下配制了n_Cu²⁺∶n_Cit^3-为1∶2,pH值为5.2,n_Cu²⁺∶n_Si分别为3∶7,2∶8和1∶9的澄清透明的复合溶胶（Sol 1,Sol 2,Sol 3）;以这3种复合溶胶为电解液,采用恒电位沉积法在氧化铟锡（ITO）电极上制备了Cu-SiO₂凝胶薄膜,并用X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM/EDS）对薄膜进行表征;采用循环伏安法（CV）、交流阻抗技术（EIS）和计时安培法（CA）研究了复合薄膜的沉积机理。结果表明:在沉积电位范围内得到Cu-SiO₂薄膜;在低电位下,Cu在Sol 1和Sol 2中的沉积过程为电化学控制,随着电位负移,电化学控制和Cu（Ⅱ）扩散控制同时存在,且Cu（Ⅱ）扩散控制起主要作用。反应电阻随着电位负移先减小再增大,反应电阻增大可能与ITO电极表面凝胶膜的形成有关。Sol 3中,研究电位下同时存在电化学控制和Cu（Ⅱ）扩散控制,且随着电位负移,Cu（Ⅱ）扩散控制也占主要作用。反应电阻随着沉积电位负移一直增大;研究电位下,Cu在溶胶中的电结晶过程遵循三维瞬时成核（3DI）生长机理。