【摘 要】
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碳化硅(SiC)功率器件突破了硅基器件在开关速度等性能上的极限,能够显著减少电力电子装置的重量、体积,提高电力电子系统的功率密度与性能。而SiC器件极快的开关速度对因封装
【机 构】
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湖南大学国家电能变换与控制工程技术研究中心
【基金项目】
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2017年湖南省战略性新兴产业科技攻关与重大成果转化专项项目(2017GK4020);中国博士后科学基金面上资助项目(2016M602406)~~
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碳化硅(SiC)功率器件突破了硅基器件在开关速度等性能上的极限,能够显著减少电力电子装置的重量、体积,提高电力电子系统的功率密度与性能。而SiC器件极快的开关速度对因封装、布线及应用电路引起的寄生参数和器件自身的结电容等非常敏感,极易发生开关振荡、串扰以及驱动失效等问题,给高密度、大功率场合下的应用带来挑战。首先分析了SiC金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)应用电路中开关振荡和串扰的产生机理,提出SiC MOSFET的驱动电路设计要点并设计制作一种SiC MOSFET驱动电路,利用有限元软件对
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