IGBT在大功率工作条件下开关损耗很大,造成IGBT模块内部温度升高,对模块的工作稳定性造成很大影响。尽管随着IGBT芯片技术的进步,IGBT模块最高结温大大提高了,但是对模块散热却有很高的要求,大大增加了IGBT模块工作时的成本。在目前IGBT工艺技术没有大进步的前提下,利用烧结技术和压接技术等封装技术对IGBT模块内部结构进行优化,降低模块工作时的温度,增强模块工作稳定性,增加模块的使用寿命。通过对1200V-800A IGBT模块内部结构进行分析,并对IGBT模块进行建模,在原有IGBT模块基础上,引入纳米银烧结技术和压接技术,得到优化后的IGBT模块结构模型,在仿真软件中完成模块建模和热仿真。通过对比原有IGBT模块和优化后IGBT模块的热仿真结果,验证优化后IGBT模块结构可行性。