【摘 要】
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本文综述了近年来 SI-GaAs 的研制现状、晶体生长工艺的主要进展及 SI-GaAs 的晶体特性研究。在晶体生长方面,重点讨论了改善 SI-GaAs 晶体成品率和完整性的几种工艺,如原位
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本文综述了近年来 SI-GaAs 的研制现状、晶体生长工艺的主要进展及 SI-GaAs 的晶体特性研究。在晶体生长方面,重点讨论了改善 SI-GaAs 晶体成品率和完整性的几种工艺,如原位提纯法;LEK 法;加热反射板(及开窗口)法,等电子掺杂法;外加磁场法以及 B_2O_3的水份、熔体化学配比的控制。在晶体特性方面,阐述了剩余杂质、热稳定性、EL2等深能级及未掺杂晶体的补偿机理。
In this paper, the recent development of SI-GaAs, the main progress of the crystal growth process and the crystal properties of SI-GaAs are reviewed. In terms of crystal growth, several processes for improving the yield and integrity of SI-GaAs crystals are discussed, such as the in-situ purification method, the LEK method, the heating reflection plate (and the window opening method), the electron doping method, France and B 2 O 3 water, melt chemical ratio control. In terms of crystal properties, the remaining impurities, thermal stability, EL2 deep level and undoped crystal compensation mechanism are described.
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