0.15μm GaN HEMT及其应用

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hunan341

【摘要】

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报道了毫米波应用的0.15μm场板结构GaN HEMT。器件研制采用了76.2mm（3英寸）SiC衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料由MOCVD技术生长并引入了掺Fe GaN缓冲层技术以提

【作者】

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任春江陶洪琪余旭明李忠辉王泉慧王雯陈堂胜张斌

【机构】

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南京电子器件研究所

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2013年3期

【关键词】

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铝镓氮氮化镓高电子迁移率晶体管场板毫米波功率单片 AlGaN/GaN HEMT field plate millimeter-wave power MM

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报道了毫米波应用的0.15μm场板结构GaN HEMT。器件研制采用了76.2mm（3英寸）SiC衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料由MOCVD技术生长并引入了掺Fe GaN缓冲层技术以提升器件击穿电压。器件栅脚和集成了场板的栅帽均由电子束光刻实现,并采用栅挖槽技术来控制器件夹断电压。研制的2×75μm栅宽GaN HEMT在24V工作电压、35GHz频率下的负载牵引测试结果显示其输出功率密度达到了4W/mm,对应的功率增益和功率附加效率分别为5dB和35%。采用该0.15μm

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