【摘 要】
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采用解析模型模拟了4H-SiC混合PiN/Schottky二极管(MPS)的功率损耗及反向恢复,研究了外延层掺杂浓度和厚度、PN结网格宽度等主要的结构参数对该器件功率损耗的影响.模拟结果
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采用解析模型模拟了4H-SiC混合PiN/Schottky二极管(MPS)的功率损耗及反向恢复,研究了外延层掺杂浓度和厚度、PN结网格宽度等主要的结构参数对该器件功率损耗的影响.模拟结果表明,对文中所述的MPS,在770 K左右具有最小功耗,且肖特基区所占的面积比越大,外延层掺杂浓度越高,厚度越小,最小功耗越低,最小功耗对应的温度也越高.论证了MPS在一个较高的温度下具有很低的功耗,适合功率系统的应用.
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