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目的 探讨Notch信号通路改变在低剂量铅暴露对卵巢癌干细胞样细胞体外致瘤功能中的作用. 方法 对SKOV3细胞进行悬浮培养,对其进行低剂量(2μM)的铅暴露.分别观察铅暴露组、对照组SKOV3、细胞球形成率和集落形成率的差异;通过Western blot检测铅暴露组与未处理组SKOV3细胞Notch信号通路的改变;通过Notch信号通路的抑制剂作用SKOV3细胞,检测铅暴露对SKOV3细胞球形成率和集落形成率的改变. 结果 与对照组相比,铅暴露组SK-OV3源性卵巢癌干细胞样细胞球形成率降低,细胞集落形成率显著降低,差异有统计学意义(P＜0.05).Notch1和Hes1蛋白表达显著增加.当Notch信号通路被抑制后,铅诱导的卵巢癌干细胞样细胞球形成率和集落形成率降低的趋势被逆转(P＜0.05). 结论 低剂量的铅暴露能够抑制SKOV3细胞球形成率和集落形成率,并且在此过程中Notch信号通路发挥了关键作用,抑制Notch信号通路能够降低铅暴露对SKOV3细胞球形成率和集落形成率.