【摘 要】
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对隧道再生多有源区内腔接触式垂直腔面发射激光器(VCSEL)材料特性进行了实验研究,得到了VCSEL外延片量子阱增益谱峰值波长、谐振腔谐振波长、DBR反射谱中心波长及材料的生长
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院
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对隧道再生多有源区内腔接触式垂直腔面发射激光器(VCSEL)材料特性进行了实验研究,得到了VCSEL外延片量子阱增益谱峰值波长、谐振腔谐振波长、DBR反射谱中心波长及材料的生长厚度偏差等重要信息.如果谐振腔谐振波长比增益谱峰值波长长20 nm以上,阈值条件很难得到满足,器件很难实现激射.符合模拟参数生长的双有源区隧道再生VCSEL实现了室温激射.氧化孔径8.3 μm器件,在11 mA注入电流下,获得5 mW的输出功率,斜率效率0.702 mW/mA,激射波长970 nm.
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