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本论文首先阐述了InGaN／GaN异质结的形成及XRD实验表征，然后基于三角形势阱模型，通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程，对InGaN／GaN异质结势阱进行了自洽模拟计算，讨论了不同In组分对InGaN／GaN异质结势阱以及异质结界面附近电子浓度分布的影响。结果说明，通过求解薛定谔方程和泊松方程可以模拟InGaN／GaN异质结的势阱结构。