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对TCD1209线阵CCD进行能量为1．1MeV的电子辐照试验，采用两种不同的注量率辐照后，对器件进行常温退火试验，在辐照与退火过程中考察CCD的光响应灵敏度、暗电流、参考电平、功耗电流等特性参数的变化规律。结果表明，CCD受电子辐照后主要产生电离总剂量损伤，在不同注量率电子辐照下的辐射损伤效应类似于MOS器件的时间相关效应。