【摘 要】
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用Ta2O5纳米带模板转化法控制合成TaON纳米带,典型的纳米带长约0.5 cm,横截面积40 nm×200 nm~400 nm×5600 nm。在SiO2/Si基片上加工出TaON单根纳米带的场效应晶体
【基金项目】
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National Natural Science Foundation of China (21673108),Open Foundations of State Key Laboratory of Coordination Chemistry (SKLCC1622).
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用Ta2O5纳米带模板转化法控制合成TaON纳米带,典型的纳米带长约0.5 cm,横截面积40 nm×200 nm~400 nm×5600 nm。在SiO2/Si基片上加工出TaON单根纳米带的场效应晶体管;该晶体管的电子迁移率和开关比分别为9.53×10^–4cm^2/(V·s)和3.4,在254~850 nm范围内显示良好的光响应。在405 nm (42 mW/cm2)的光照下,外加5.0 V的偏压时,光响应为249 mA/W,光开关比为11。因此,该器件具有良
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