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用分子束外延系统生长了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱（ACDQW），用组合注入的方法，在同一块衬底上获得了不同注入离子和不同注入剂量的耦合量子阱单元，没有经过快速热退火过程，在常温下测量了不同单元的显微光荧光谱，发现了带间跃迁能量最大变化范围接近100meV，组合注入所导致的能量移动要大于单独注入导致的能量移动。