【摘 要】
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设计并制备了一种基于SOI（silicon on insulator）材料的MEMS压阻式高温压力敏感芯片。在设计方面,通过理论计算与仿真,对敏感芯片各项参数进行了优化;在工艺方面,设计了基于标
【机 构】
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中北大学电子测试技术国防科技重点实验室
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设计并制备了一种基于SOI（silicon on insulator）材料的MEMS压阻式高温压力敏感芯片。在设计方面,通过理论计算与仿真,对敏感芯片各项参数进行了优化;在工艺方面,设计了基于标准MEMS工艺的制作流程,并创新性地提出了“器件区下沉”工艺步骤,以提高敏感芯片工艺制备的可靠性。采用316L不锈钢基座对MEMS压力敏感芯片进行封装后,完成了温度、压力复合环境标定测试,结果显示其具有较高的测量精度,并可在20～220℃温度范围内稳定工作,具备在高温恶劣环境中应用的前景。
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