论文部分内容阅读
用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜，衬底温度控制在95％左右，工作气体选用H2＋Ar，氢气的分压控制在31％到70％，同时改变薄膜的沉积时间。Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料。结合实验数据，在HQD理论基础上，给出了这种薄膜的能带结构图，并在理论和实验上分别对薄膜的I-V特性进行了研究。