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为研究N2压强以及流量在磁控溅射中对TiN薄膜生长的影响,通过改变N2气压以及流量使用射频磁控溅射设备在基片温度为300℃,时长2h下生长TiN薄膜。采用电子扫描显微镜(SEM)表征薄膜形貌,获得不同的TiN薄膜微观图像。通过改变工艺参数,可以制备具有不同微观形貌的TiN薄膜。
磁控溅射反应法制备TiN纳米薄膜
【摘 要】
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为研究N2压强以及流量在磁控溅射中对TiN薄膜生长的影响,通过改变N2气压以及流量使用射频磁控溅射设备在基片温度为300℃,时长2h下生长TiN薄膜。采用电子扫描显微镜(SEM)表征
【机 构】
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牡丹江师范学院
【出 处】
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真空
【发表日期】
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2019年4期
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