【摘 要】
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使用p+ n-n+外延结构制备了10 kV 4H-SiC pin二极管,在室温下通过时间分辨光致发光(TRPL)谱法在低掺杂外延层中测量载流子寿命,根据晶圆上大量二极管的电容-电压测量值估算掺
【机 构】
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先进输电技术国家重点实验室,北京 102209;全球能源互联网研究院有限公司,北京 102209
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使用p+ n-n+外延结构制备了10 kV 4H-SiC pin二极管,在室温下通过时间分辨光致发光(TRPL)谱法在低掺杂外延层中测量载流子寿命,根据晶圆上大量二极管的电容-电压测量值估算掺杂浓度,采用深能级瞬态谱(DLTS)法获得了影响载流子寿命的主要缺陷的俘获截面、浓度和复合中心能级位置.通过将TRPL测量得到的载流子寿命用于二极管电流-电压特性的计算机辅助工艺设计(TCAD)模拟中,并与根据DLTS测得的深能级缺陷参数估算的Shock-ley-Read-Hall (SRH)载流子寿命进行比较发现,载流子寿命除了受位于0.67 eV (Ec-ET)能级的碳空位缺陷控制外,更受到其他深能级缺陷的影响.
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