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采用电子束蒸发的方法在２００℃抛光的取向的蓝宝石衬底上淀积２００ｎｍ的Ｃｒ，并在高真空中退火。利用ＭＣｓ＾＋－ＳＩＭＳ技术对样品进行了深度剖析，给出了界面组分分布随退火温度与时间的变化关系。并在８５０退火样品观测一种新的界面结构。
Cr／蓝宝石界面的二次离子质谱研究
【摘 要】
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采用电子束蒸发的方法在２００℃抛光的取向的蓝宝石衬底上淀积２００ｎｍ的Ｃｒ，并在高真空中退火。利用ＭＣｓ＾＋－ＳＩＭＳ技术对样品进行了深度剖析，给出了界面组分分布随退火温度与时间的变化关系。并在８５０退火样品观
【机 构】
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清华大学微电子学研究所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2000年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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