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设计了用于测量非晶硅薄膜诱导晶化的电阻值的实验装置，通过实时电阻测量方法实现了金属诱导晶化制备多晶硅薄膜的实时监控．结果表明薄膜的电阻值在高温下随晶化时间呈指数衰减，且具有很强的温度依赖关系．采用晶粒边界势垒模型解释了阻值衰减行为，分析计算了样品的阻值衰减规律、应用拉曼光谱分析检测实时电阻测量的可靠性，结果表明实时电阻测量方法可以用于金属诱导晶化动力学的研究．