【摘 要】
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采用化学气相沉积法,以三氧化钼作为钼源,硒粉作为硒源,在H2/Ar气氛下生长出硒化钼纳米片.扫描电镜、X射线衍射表征结果表明,MoSe2产物呈六角星状,横向尺寸约10μm,具有很好
【机 构】
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西南科技大学、四川省非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地,西南科技大学材料科学与工程学院
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采用化学气相沉积法,以三氧化钼作为钼源,硒粉作为硒源,在H2/Ar气氛下生长出硒化钼纳米片.扫描电镜、X射线衍射表征结果表明,MoSe2产物呈六角星状,横向尺寸约10μm,具有很好的晶体质量和结构.拉曼光谱表征其结构,确定其为双层纳米片.研究表明,高温反应时间对双层纳米片的生长具有重要的影响.通过对双层纳米片的生长机理的探究,推测其经历了3个生长过程：在高温下,Mo源和Se源被气化成气态分子并发生硒化反应形成晶核;晶核呈三角形外延生长;当反应时间持续增加,在空间位阻效应的影响下,晶体以中心原子岛为核,外延
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