【摘 要】
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通过对晶体生长时和生长后原料挥发物的XRD分析,发现在炉膛内壁上的挥发物质是Ga2O3和Ga2O的混合物,而观察窗口及后加热器内壁上的挥发物主要是Gd2O3.为避免原料中Ga2O3的挥
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通过对晶体生长时和生长后原料挥发物的XRD分析,发现在炉膛内壁上的挥发物质是Ga2O3和Ga2O的混合物,而观察窗口及后加热器内壁上的挥发物主要是Gd2O3.为避免原料中Ga2O3的挥发,按化学计量比配料,在1 300℃下,采用固相反应法合成了Nd:Gd3Ga5O12(Nd:GGG)多晶原料.用此多晶原料,采用提拉法进行了Nd:GGG单晶生长研究,所获单晶的荧光发射峰位于1061.54nm.对晶体表面的开裂现象进行了分析.
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