【摘 要】
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利用直流磁控溅射法在硅基底上沉积出纳米晶钛薄膜，研究了背底真空度、溅射功率和基底温度对纳米晶钛薄膜结构的影响。实验证明，当背底真空度高于8．8×10^-5Pa时，可制备出致
【机 构】
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上海理工大学机械工程学院,上海理工大学材料科学与工程学院
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利用直流磁控溅射法在硅基底上沉积出纳米晶钛薄膜，研究了背底真空度、溅射功率和基底温度对纳米晶钛薄膜结构的影响。实验证明，当背底真空度高于8．8×10^-5Pa时，可制备出致密的纳米晶钛薄膜，当背底真空度低于2．0×10^-4Pa时，钛薄膜被氧化成一氧化钛薄膜；随着溅射功率的增大，纳米晶钛膜的晶粒尺寸呈线性增大，同时钛薄膜的取向也发生改变，表现出明显的（002）织构；随着温度的升高，钛薄膜织构取向发生改变，当温度为500℃时，钛薄膜被氧化为一氧化钛薄膜。制成平整钛薄膜的工艺条件为：背底真
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