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本文应用耦合模理论,研究下述情况下,由单模阶梯光纤随机微弯所引起的非本征损耗:(1)不考虑纤芯对LP_(1j)场形的影响;(2)考虑上述影响。假设光纤随机微弯的自相关函数是高斯函数,本方法可推广用来研究光纤在其它几何畸变或折射率畸变时所引起的非本征损耗。
单模光纤非本征损耗受包层膜（LP1j）场形影响的研究
【摘 要】
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本文应用耦合模理论,研究下述情况下,由单模阶梯光纤随机微弯所引起的非本征损耗:(1)不考虑纤芯对LP_(1j)场形的影响;(2)考虑上述影响。假设光纤随机微弯的自相关函数是高斯
【机 构】
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桂林电子工业学院
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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1989年3期
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