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目前,通过离子注入或外延技术,已把稀土离子成功地掺到Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中,由于4f壳层的特征发光波长主要取决于稀土离子本身,而基质材料和温度对其影响很小,从而可以获得阈值电流低,谱线窄、波长稳定的半导体器件。本工作用LPE技术生长了稀土掺杂InP:Yb外延片,并研究了其光电性能。实验用的稀土合金源为99.7％的Yb与纯度为7个9的In在一定条件下制备而成。用原子吸收谱法分析了合金的组份,并比较了其均匀性。用普通的LPE技术在高纯氢气保护下采用两相法在n-InP衬底上依次生长n-InP