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基于密度泛函理论的第一性原理，采用广义梯度近似（GGA）下的线性缀加平面波（FP-LAPW）方法，应用WIEN2K软件计算了超晶胞结构Sn1-xNxO2材料的总态密度、能带结构和光学折射率及介电函数虚部。计算结果表明掺杂后费米能级向低能方向移动，随着掺杂量的增加，Sn1-xNxO2材料的价带和导带的分裂程度增强，禁带宽度逐渐减小，并且在1．35-2．50eV的能量范围上形成了杂质带，其主要来源是N的2p态上的电子。分析Sn1-xNxO2材料的能带结构可知掺杂前后均是直接跃迁半导体，掺杂后其介电函数谱和折射