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单晶硅的氧含量及其均匀性可显著影响各种硅基器件的性能，也是在硅晶体生长过程中较难控制的参数。本文分析了直拉单晶硅生产过程中氧杂质的引入机理及其对晶体质量的影响，并通过改变氩气流量或炉内压力、热场几何尺寸、埚位、晶体转速和坩埚转速等拉晶条件，以及采用相应的磁拉技术来控制晶体中的氧含量及分布均匀性，提高晶体的质量。