【摘 要】
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以SmCl3·6H2O和Na2S2O3·5H2O为原料，采用电沉积法在ITO玻璃基板制备了SmS光学薄膜。采用XRD、AFM和紫外可见光分光光度计对薄膜进行了表征。研究了沉积电压和热处理
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以SmCl3·6H2O和Na2S2O3·5H2O为原料，采用电沉积法在ITO玻璃基板制备了SmS光学薄膜。采用XRD、AFM和紫外可见光分光光度计对薄膜进行了表征。研究了沉积电压和热处理温度对于薄膜的物相组成、显微结构和光学性能的影响。结果表明：在n（S）：n（Sm）=4：1，溶液pH值为3．0，沉积电压为10V以及热处理温度为400℃的条件下，可制备出主晶相为SmS且表面比较平整的薄膜。热处理后薄膜的禁带宽度增加。随着沉积电压的增加，SmS逐渐由金属相向半导体相转变，薄膜的禁带宽度相
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