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窄石墨烯纳米带(GNR)因具有较大带隙使其在电子和光电器件中有广阔的应用前景。然而目前仍缺乏良好的方法来制备高质量、窄GNR。本文研发了一种过渡金属轴向解链单壁碳纳米管(SWCNT)制备窄的高质量GNR和GNR/SWCNT分子内异质结的方法。通过研究,获得了该方法解链SWCNT的最佳工艺,通过控制H 2流量能调节SWCNT的解链速率。窄GNR和GNR/SWCNT分子内异质结有望被用于下一代电子和光电器件。