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<正>一、引言 随着集成电路向高集成度、高速度和低功耗的方向发展,人们研究和发展了适应这种要求的各种新工艺方法,多晶硅工艺就是其中之一。在七十年代初,MOS电路就开始使用了多晶硅自对准工艺,随后又在MOS存储器中发展了双层和三层多晶硅工艺,对提高电路的集成度和速度起了很大推动作用。近几年来,多晶