论文部分内容阅读
为了对GaN/AlN异质结电子结构有更为深入的认识，采用超原胞模型，对其进行了基于密度泛函理论的第一性原理计算，结果发现GaN/AlN为突变同型异质结，价带顶带阶为0.62eV，与实验值很接近。另外，通过使用常用的平均键能法、平均势法和芯态法三种近似方法对GaN/AlN带阶的计算，比较得出，超原胞法虽然计算量较大，但能够给出异质结界面附近更为详细的信息，这一点其他三种近似方法无法得到，但他们也能够得出与实验值基本一致的带阶参量。