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DFE8040（200mm）／DFE8060（300mm）干法蚀刻设备采用了等离子体蚀刻以达到应力释放的目的，增强在半导体器件制造中芯片的强度。这种干法蚀刻设备可作为晶圆减薄后应力释放的在线单元。
蚀刻设备
【摘 要】
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DFE8040（200mm）／DFE8060（300mm）干法蚀刻设备采用了等离子体蚀刻以达到应力释放的目的，增强在半导体器件制造中芯片的强度。这种干法蚀刻设备可作为晶圆减薄后应力释放的在线单元。
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2006年3期
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