紫外光致抗蚀剂的研究现状

来源 :中国环境管理干部学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dragon98141

【摘要】

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193nmArF激基体激光光刻是21世纪提高超大规模集成电路(VLSI)集成度的一项关键技术,已成为高技术领域的研究热点.本文介绍了近年来几种主要的紫外光致抗蚀剂及其研究进展,对A

【作者】

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王文君赵淑梅

【机构】

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中国环境管理干部学院,老河口一中

【出处】

：

中国环境管理干部学院学报

【发表日期】

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2005年4期

【关键词】

：

紫外光致抗蚀剂光刻胶 193nm ARF 激光激基体激光 UV photoresist lithography 193nm ArF Laser excime

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193nmArF激基体激光光刻是21世纪提高超大规模集成电路(VLSI)集成度的一项关键技术,已成为高技术领域的研究热点.本文介绍了近年来几种主要的紫外光致抗蚀剂及其研究进展,对ArF激基体激光(193nm)光致抗蚀剂的各个组分进行了归纳综述.并指出,通过改进感光高分子的结构与组成,可以获得性质优良的抗蚀剂,给分析、研究工作以助益.

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