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本文研究了自分离硅微通道（selflift—offsiliconmicrochannels）的氧化问题。自分离是在特定的实验条件下，在完成电化学刻蚀后，硅微通道可以自动和衬底分离的一种新技术。研究发现，在使用传统的干氧-湿氧-干氧氧化化过程中，硅微通道出现了弯曲变形的现象。微通道越薄，其形变越大。通过使用较厚的硅微通道以及在干-湿-干氧化过程之前增加了干氧，以及先进行激光切割的步骤，改善和基本消除了弯曲变形的现象。