【摘 要】
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在10-300K的温度范围内,测量了用液封直拉法(LEC)生长的n-InP经高温退火后形成的未掺杂SI-InP晶体的正电子寿命谱,用PATFIT和MELT两种技术分析了正电子寿命谱。常温下的结果表明,SI-InP中存在甸空位VIn或与杂质的复合体缺陷
【机 构】
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武汉大学物理学系,河北半导体研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目!( 695 760 2 0 )
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在10-300K的温度范围内,测量了用液封直拉法(LEC)生长的n-InP经高温退火后形成的未掺杂SI-InP晶体的正电子寿命谱,用PATFIT和MELT两种技术分析了正电子寿命谱。常温下的结果表明,SI-InP中存在甸空位VIn或与杂质的复合体缺陷。观察到在10-220K之间正电子的平均寿命τm随温度的升高而减小,表明上述缺陷是带负电荷的铟空位VIn的氢复合体;但是在低温下还存在正电子浅捕获态。
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